Керамические подложки
АО «ТЕСТПРИБОР» производит керамические подложки на основе высокотемпературной алюмооксидной керамики (Al2O3) и алюмонитридной керамики (AlN). Подложки предназначены для изготовления коммутационных плат, гибридных интегральных схем, микросборок, термоэлектрических элементов, нагревателей, изоляции посадочных мест полупроводниковых приборов и т.д.
Технологические возможности компании АО «ТЕСТПРИБОР» обеспечивают производство керамических подложек с максимальным размером 115×115 мм.
Варианты конструктивно-технологического исполнения:
- значение шероховатости поверхности Ra от 0,2 до 0,01 мкм в зависимости от требований заказчика;
- толщина керамических подложек и прокладок от 0,5 до 1,5 мм;
- отверстия с конфигураций, определяемой требованиями заказчика;
- сплошное скрайбирование;
- импульсное скрайбирование;
- контуры с конфигураций, определяемой требованиями заказчика;
Так же АО «ТЕСТПРИБОР» предлагает различные варианты металлизации:
- Технология прямого присоединения меди – DBC/DPC
- Технология пайки активными металлами – AMB
- Толстопленочная технология (материал покрытия Ag, Ag-Pd, Ag-Pt, Au, Ag-Cu и Cu)
- Тонкопленочная технология (материал покрытия Cr-Ni-Au, Ti-Pt-Au и др.)
Преимущества применения керамических подложек производства компании АО «ТЕСТПРИБОР»
- Высокая устойчивость к воздействию теплового удара, влаге, химическим реагентам
- Широкий диапазон рабочих температур
- Высокие диэлектрические и тепловые свойства
- Повышенная стабильность размеров и твердости
- Близость коэффициента теплового линейного расширения (КТЛР) к КТЛР основных материалов, применяемых для изготовления изделий микроэлектроники
- Высокая технологичность при применении групповых методов обработки
|
ХАРАКТЕРИСТИКА |
ЕД. ИЗМЕРЕНИЯ |
ЗНАЧЕНИЯ |
|||
|
Al2O3 96% |
Al2O3 99,6% |
AlN |
BeO |
||
|
Плотность |
г/см3 |
3,72 |
3,89 |
3,30 |
2,85 |
|
Толщина |
мм |
0,2-4,0 |
0,2- 4,0 |
0,2-4,0 |
0,2-4,0 |
|
Влагопоглощение |
% |
0 |
0 |
0 |
0 |
|
Теплопроводность |
Вт/(м•К) |
28 |
29 |
180 – 220 |
230-250 |
|
КТЛР (20 – 1000 °С) |
10-6/ °К |
6,8 – 8,0 |
7,2 – 8,2 |
6,2 |
7-8,5 |
|
Диэлектрическая проницаемость (1 МГц) |
– |
9,0 |
9,75 |
|
6,5-7,5 |
|
Тангенс угла диэлектрических потерь (1 Мгц) |
– |
0,0002 |
0,0001 |
0,0003 |
0,0004 |
|
Напряжение пробоя |
кВ/мм |
15,0 |
25 |
15,0 |
15,0 |
|
Предел прочности при изгибе |
МПа |
300 |
400 |
260 |
260 |
|
Модуль упругости |
ГПа |
330 |
390 |
320 |
345 |
|
Прочность на сжатие |
МПа |
2100 |
|
– |
- |
|
Твердость |
кг/мм2 |
14 ÷ 15 |
|
1110 |
|
|
Удельное объемное электрическое сопротивление (20 °С) |
Ом•см |
1013 |
|
1015 |
1014 |